● 制造方法:CZ法● 平面方位:100● OF位置:110● 電阻值:0.1~100Ω?cm ※低電阻:≦0.02Ω?cm、高電阻:≧500Ω?cm● 粒子:2-960-01~08/不論粒子、 2-960-51~62/≧0.3um、10個以下 編號 尺寸(英寸)×傳導類型 OF長(mm)×晶片厚度(um) 數量 ">

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日本亞速旺 ASONE 2-960-01 研究用高純度硅晶片 研究用高純度シリコンウェハー WAFER

日本ASONE,藤野優勢代理,日本亞速旺中國區正規授權,全系優惠供應!.規格:>● 制造方法:CZ法● 平面方位:100● OF位置:110● 電阻值:0.1~100Ω?cm ※低電阻:≦0.02Ω?cm、高電阻:≧500Ω?cm● 粒子:2-960-01~08/不論粒子、 2-960-51~62/≧0.3um、10個以下 編號 尺寸(英寸)×傳導類型 OF長(mm)×晶片厚度(um) 數量

  • 型號: 日本亞速旺 ASONE 2-960-01 研究用高純度硅晶片 研究用高純度シリコンウェハー WAFER
日本ASONE,藤野優勢代理,日本亞速旺中國區正規授權,全系優惠供應!


.規格:
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● 制造方法:CZ法
● 平面方位:100
● OF位置:110
● 電阻值:0.1~100Ω?cm ※低電阻:≦0.02Ω?cm、高電阻:≧500Ω?cm
● 粒子:2-960-01~08/不論粒子、 2-960-51~62/≧0.3um、10個以下
編號 尺寸(英寸)×傳導類型 OF長(mm)×晶片厚度(um) 數量 RMB(含稅) 北京庫存 上海庫存 日本庫存 參考貨期 選購數量
2-960-01 2×P型 17.5±2.5×280±25 1片 490.00 0 0 53
2-960-02 2×N型 17.5±2.5×280±25 1片 490.00 0 0 53
2-960-03 3×P型 22.5±2.5×380±25 1片 480.00 0 0 23
2-960-04 3×N型 22.5±2.5×380±25 1片 480.00 0 0 21
2-960-05 4×P型 32.5±2.5×525±25 1片 490.00 0 0 0 另詢
2-960-07 4×P型(低電阻) 32.5±2.5×525±25 1片 570.00 0 0 0 18天左右
2-960-08 4×P型(高電阻) 32.5±2.5×525±25 1片 620.00 0 0 10
2-960-06 4×N型 32.5±2.5×525±25 1片 500.00 0 0 25

※日本在庫的情況下,從日本寄送大概需要18天左右
※專門訂購品:●可進行方位(裁切角度)、OF位置角度公差、厚度公差更小的高精度加工,通過蝕刻進行準確的溝槽形成。●可進行多樣化的形狀加工和表面處理(例:锪孔加工、穿孔加工、氧化膜包衣晶片)。●可根據所希望的電阻率、晶片厚度進行對應。

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